SK Hynix tritt Partner-Verifizierungsprozess seines 1β-DRAM der 5. Generation bei

Obwohl DRAM im Vergleich zu den neuesten Prozessoren und GPUs viel weniger ausgefeilte Produktionsprozesse verwendet, schrumpfen alle großen Hersteller ihre Herstellungsknoten Schritt für Schritt weiter. Ein Grund dafür ist zum Teil, dass ein Node-Shrink nicht die gleichen Verbesserungen für DRAM bringt wie für die meisten Arten von Feldeffekttransistoren oder FETs, die meistens für die Herstellung irgendeiner Art von Prozessorlogik verwendet werden. SK Hynix soll nun in den Partnerverifizierungsprozess seines 1β-DRAM der 5. Generation eingetreten sein, um sicherzustellen, dass sein neuestes 1x-nm-DRAM mit wichtigen Anwendungen kompatibel ist. Im Fall von SK Hynix sollte dies ungefähr einem 12-nm-Prozessknoten entsprechen.

Laut Chosun Media in Korea wird Intel an dieser Verifizierung teilnehmen, da Intel die Verifizierung des 1α-DRAM der 4. Generation von SK Hynix für seinen skalierbaren Xeon-Prozessor der 4. Generation abgeschlossen hat. Zunächst wird der 1β-DRAM der 5. Generation von SK Hynix auf Serveranwendungen abzielen, daher ist es wahrscheinlich, dass er unter anderem auf Kompatibilität mit denselben Plattformen von Intel getestet wird. Der neue 1β-DRAM soll die Effizienz um mehr als 40 Prozent steigern, obwohl in der Veröffentlichung nicht erwähnt wurde, ob dies die Energieeffizienz oder etwas anderes ist. Der 1β-DRAM von SK Hynix sowie Samsung – das sein 1β-DRAM im Dezember 2022 ankündigte – werden mit einem EUV-Lithografieverfahren hergestellt, und die beiden koreanischen DRAM-Hersteller sind die einzigen beiden DRAM-Hersteller, die bisher EUV verwenden.