UMC zielt auf drahtlose, VR/AR- und IoT-Displays ab und treibt die neue 28eHV+-Plattform voran | TechNews

Mit Blick auf drahtlose, VR/AR- und IoT-Displays bringt UMC eine neue 28eHV+-Plattform auf den Markt

Optimistisch in Bezug auf die Geschäftsmöglichkeiten für drahtlose, AR/VR- und IoT-Display-Anwendungen hat die Gießerei UMC heute die neueste verbesserte Version der 28eHV+-Plattform für eingebettete 28-nm-Hochspannungsprozesse (eHV) als die nächste Generation von Smartphones und VR-/AR-Geräten veröffentlicht und Dinge Display-Treiber-IC-Lösungen für die Vernetzung.

Der Beamte wies darauf hin, dass die neue 28eHV+-Lösung im Vergleich zum bestehenden 28-nm-eHV-Prozess den Stromverbrauch um bis zu 15 % reduzieren kann, ohne die Bildqualität oder Datenrate zu beeinträchtigen. 28eHV+ erfüllt nicht nur die Anforderungen zum Einsparen von Batteriestrom, sondern verfügt auch über eine präzisere Spannungssteuerungsoptimierungsfunktion, die Konstrukteuren mehr Flexibilität beim Design bietet.

In Bezug auf die eHV-Technologie ist 28 nm derzeit der fortschrittlichste Prozess in Fabs für Small Panel Display Driver ICs (SDDI) und wird häufig in AMOLED-Panels verwendet, die bei High-End-Smartphones und VR/AR-Geräten immer beliebter werden. UMC ist die führende 28-nm-SDDI-Foundry mit einem Marktanteil von mehr als 85 % und hat seit der Massenproduktion im Jahr 2020 mehr als 400 Millionen ICs ausgeliefert.

Xu Shijie, stellvertretender Generaldirektor von UMC Technology R&D, sagte, dass mehrere Kunden derzeit über die Einführung der 28eHV+-Plattform verhandeln und planen, sie in der ersten Hälfte des Jahres 2023 in die Massenproduktion zu bringen.

Nach der Veröffentlichung der 28eHV+-Plattform gab UMC außerdem bekannt, dass sich das F&E-Team dafür einsetzen wird, die Display-Treiber-IC-Lösung auf 22 nm und darunter zu erweitern.

Die 28eHV+-Technologie von UMC verwendet die branchenweit kleinste SRAM-Zelle, wodurch die Die-Fläche reduziert wird. Diese Plattform basiert auf der führenden 28-nm-Gate-Last-High-K/Metal-Gate-Technologie (28-nm-Gate-Last-High-K/Metal-Gate) von UMC, die sich durch hervorragende geringe Leckage und dynamische Leistungsleistung auszeichnet.

(Quelle des ersten Bildes:UMC）

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